что такое lrdimm память
Что такое регистровая RDIMM-память и зачем нужен ECC
Содержание
Содержание
Что такое RDIMM, для чего нужен регистр
Оперативная память в сокращении может называться ОЗУ. Ее также называют оперативным запоминающим устройством, памятью с произвольным доступом, RAM. ОЗУ также можно ласково назвать «оперативкой». RAM логически состоит из ячеек памяти. Каждая ячейка хранит количество бит, равное степени двойки. 2^3=8 бит, 2^4=16 бит, 2^5=32 бит, 2^6=64 бит. У каждой ячейки памяти есть свой адрес. Адрес ячейки «оперативки» выглядит следующим образом: FFFFFFFFF.
Регистровой памятью (Registered DIMM, RDIMM) называют модули ОЗУ, которые имеют на «борту» отдельный регистр для адресов «оперативки» и команд.
Контроллер ОЗУ в процессоре обращается к регистрам, регистры же направляют информацию в микросхемы памяти. Такая организация «оперативки» позволяет увеличить количество модулей на канал RAM за счет снижения электрической нагрузки на контроллер памяти. Контроллер находится либо в северном мосту материнской платы, либо в процессоре. Также вдвое уменьшается емкость модулей памяти, если модуль содержит два регистра.
Регистровая память отличается от обычной, небуферизованной «оперативки», более высокими задержками при чтени и записи информации в модулях ОЗУ. Это происходит из-за того, что модули содержат дополнительный промежуточный узел — буфер. Чтение/запись производит контроллер памяти в процессоре или северном мосту материнской платы. Работа с этим узлом, естественно, требует дополнительного времени работы. Но при этом отметим то, что уменьшается нагрузка на процессор, так как буфер отвечает за непосредственную работу с банками памяти.
Каждый модуль ОЗУ содержит микросхему SPD (Serial Presence Detect). Данная микросхема содержит прошивку модуля памяти. Эта прошивка определяет работу более простых микросхем.
Регистровая и буферизованная память — одно и то же
Регистровая память — это буферизованная память. Как было обозначено выше — регистр — это буфер для адресов и команд при работе с памятью. Процессор или северный мост материнской платы отправляют данные, адреса ячеек памяти и команды. Регистры выполняют команды по указанным адресам.
Такая память стоит дороже обычной, небуферизованной памяти. Используется она исключительно в серверах, потому что позволяет получить больший объем памяти на один процессор в сервере.
Что такое FB-DIMM
FB-DIMM, Full Buffered Dual Inline Memory Module — полностью буферизованная DIMM — это планки ОЗУ DDR2. Плашки ОЗУ при этом используют последовательный интерфейс передачи данных между модулями памяти и контроллером «оперативки». В отличие от стандартных модулей RAM, они используют не 240-pin, а 96-pin из 240 возможных пинов. Такая организация работы позволяет организовывать с помощью контроллеров памяти большее количество каналов на материнской плате. Вплоть до 6 каналов. Данные модули памяти несовместимы с обычными планками «оперативки».
Последовательный интерфейс — это интерфейс передачи данных, при работе которого данные передаются по одному проводу или дорожке на печатной плате друг за другом. Таких проводов (дорожек) может быть несколько, но принцип передачи данных при этом не меняется.
Advanced Memory Buffer, AMB — микросхема, которая организует работу модулей памяти FB-DIMM. Эта микросхема располагается прямо на планке «оперативки».
В один канал памяти при такой организации работы модулей ОЗУ возможна установка до 8 планок «оперативки». Это позволяет, в случае с RAM DDR2, добиться емкости ОЗУ до 192 Гигабайт на один сервер.
В связи с тем, что микросхема AMB добавляет свои задержки в работу модуля памяти, данные плашки работают несколько медленнее модулей RDIMM, регистровой ОЗУ. Но, так как общее количество памяти в данном случае возрастает, то общая производительность системы также возрастает.
Краткая история оперативной памяти
Ниже приводится краткая история развития типов ОЗУ. Начинаем мы ее со времени выпуска памяти SDRAM. Это произошло в 1996 году. Пропускная способность данной RAM составила 1.1 GBps.
Следующей памятью в таблице указана память RDRAM. Она была выпущена в 1998 году. Это была абсолютно новая архитектура ОЗУ. Совершенно новый стандарт от фирмы Rambus. Было выпущено несколько поколений памяти. Она отличалась более высокими частотами, стабильными таймингами, вот только при этом задержки функционирования памяти были немного выше. К сожалению, данная память не выдержала конкуренции на рынке и вынуждена была сойти со сцены рынка памяти.
Следующими в таблице указаны линейки RAM DDR. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Этот стандарт ОЗУ был выпущен на рынок в 2000 году. Данная память используется и на текущий момент. При этом развивается стандарт для достижения более высоких скоростей функционирования.
Последним типом RAM DDR, выпущенным на рынок, на данный момент является память DDR4.
Русские Блоги
Разница между памятью UDIMM, LRDIMM и RDIMM
В настоящее время используются три основных типа модулей памяти (DIMM): UDIMM, RDIMM и LRDIMM.
UDIMM
Когда данные передаются от ЦП к каждой частице памяти, UDIMM должен обеспечивать равное расстояние передачи между ЦП и каждой частицей памяти, чтобы параллельная передача была эффективной, а это требует более сложного производственного процесса. Следовательно, UDIMM имеет как емкость, так и частоту. Нижняя.
RDIMM
RDIMM: полное имя Registered DIMM, модуль памяти с двумя линиями и регистром. RDIMM добавляет регистр к полосе памяти для передачи, который расположен между ЦП и частицами памяти, что не только сокращает расстояние параллельной передачи, но также обеспечивает эффективность параллельной передачи. Благодаря высокой эффективности регистра емкость и частоту RDIMM легче увеличить по сравнению с UDIMM.
LRDIMM
Кроме того, память LRDIMM заменяет микросхему регистра в памяти RDIMM на микросхему изолированного буфера памяти iMB (буфер памяти изоляции). Прямым преимуществом является уменьшение нагрузки на шину памяти и дальнейшее увеличение поддерживаемой емкости памяти.
Отличие и применение
Поскольку UDIMM не использует регистры, буферизация не требуется, а задержка мала при той же частоте. Кроме того, еще одно преимущество UDIMM заключается в его невысокой цене. Недостаток в том, что емкость и частота невелики, емкость до 4 ГБ, а частота до 2133 МТ / с. Кроме того, поскольку модули UDIMM могут работать только в небуферизованном режиме и не поддерживают полное выделение памяти сервера (максимальную емкость), производительность сервера не может быть максимальной. В сценариях приложений UDIMM можно использовать не только в области серверов, но и на рынке настольных компьютеров.
Можно сказать, что LRDIMM заменяет RDIMM. С одной стороны, он снижает нагрузку и энергопотребление шины памяти, а с другой стороны, обеспечивает максимальную поддерживаемую емкость памяти. Хотя его самая высокая частота такая же, как у RDIMM, оба они составляют 3200 МТ / с, но Емкость увеличена до 64 ГБ. И, по сравнению с RDIMM, двухранговая память LRDIMM потребляет только 50% потребляемой мощности. LRDIMM также поставляется в серверной области, но его цена выше, чем у RDIMM.
Чтобы более интуитивно понять разницу между этими тремя, редактор Tianxia Data сделал простую сравнительную таблицу в конце статьи.
Разница между серверной памятью UDIMM и RDIMM
Применение модулей LRDIMM в высокопроизводительных серверах
LRDIMM (Load-Reduced Dual Inline Memory Module или «DIMM со сниженной нагрузкой») – тип модулей памяти, поддерживаемых серверными платформами с 2012 года. Модули LRDIMM схожи с регистровыми модулями DIMM и подходят к тем же разъемам памяти. Однако принцип работы LRDIMM отличается от RDIMM. Используя LRDIMM в обычном сервере можно сделать 512Гб, 1Тб или 1,5Тб памяти.
Буфер памяти – основа технологии LRDIMM
Регистровые модули DIMM подключаются напрямую к шине, соединенной с контроллерами памяти процессора. В режиме работы с модулями DIMM контроллер памяти управляет каждой микросхемой DRAM, подключенной к управляющей линии модуля. И чем больше этих микросхем в модуле памяти (так называемые ранги), тем больше электрическая нагрузка на контроллер. Ранг – количество наборов микросхем, подключенных к одной линии выбора микросхемы. Ранг является характеристикой модуля памяти. Ниже показаны двух- и четырехранговый модули памяти.
Двухранговый модуль – это два логических модуля, распаянных на печатной плате и пользующихся поочередно одним и тем же физическим каналом передачи данных. Четырехранговый – аналогичное решение, но уже в четырехкратном масштабе.
RDIMM – это регистровый модуль памяти. Наименование «регистровый» означает, что модули этого типа имеют буферизирующий регистр, который используется для буферизации адресных и командных сигналов.
В случае LRDIMM к шине добавлена специальная микросхема буфера памяти, прикрепленная к каждому модулю. При работе контроллера с модулями LRDIMM управление сводится к отправке пакетной информации (данные и команды) в этот буфер модуля – iMB (Isolation Memory Buffer). В отличие от модулей RDIMM, буферизуются не только сигналы управления, но и данные.
Буфер управляет всеми операциями чтения и записи в DRAM. Через него проходят сигналы данных и команд/адресов – это посредник между контроллером памяти (Host Memory Controller) и DRAM.
При добавлении новых микросхем DRAM (рангов) на регистровые модули DIMM электрическая нагрузка модулей памяти повышается. С увеличением количества рангов на канал памяти снижается быстродействие памяти – скорость её работы. Для модулей RDIMM оптимальной является установка не более двух модулей DIMM на канал, поскольку при использовании третьего банка скорость работы памяти снижается. Канал – это «путь» от модуля памяти к контроллеру, по которому передаются считываемые и записываемые данные.
Модули LRDIMM не имеют таких ограничений, потому что используют микросхемы буфера памяти. При работе с LRDIMM контроллеры памяти в процессорах функционируют в последовательном режиме. Команды и данные передаются в буфер памяти, который управляет всеми операциями чтения и записи в DRAM.
Умножение рангов
Модули LRDIMM значительно снижают электрическую нагрузку микросхем DRAM на шину данных, а благодаря так называемому умножению рангов (Rank Multiplication). Физические ранги DRAM выглядят для контроллера памяти как один логический ранг большей емкости. Ниже показано умножение рангов для трех LRDIMM на канал памяти.
Умножение рангов можно отключить, установить в 2:1 или 4:1 – до 8 физических рангов на LRDIMM. Например, четырехранговые модули LRDIMM преобразуются для контроллера памяти в двухранговые. То есть четырехранговый модуль контроллер воспринимает как двухранговый, а восьмиранговый – как четырехранговый. За счет этого нагрузка многорангового модуля становится в два раза ниже. В результате сервер может поддерживать модули LRDIMM с повышенными скоростями по сравнению с модулями RDIMM.
Уменьшение электрической нагрузки позволяет системе с LRDIMM работать с большей скоростью (тактовой частотой памяти) при той же емкости, или же увеличить емкость ОЗУ, сохранив ту же скорость, что в конфигурации с RDIMM.
Таким образом, на практике LRDIMM можно использовать для увеличения скорости работы памяти и/или увеличения ее емкости. Модули LRDIMM обеспечивают более высокие скорости при большей емкости для пользователей, требованиям которых не удовлетворяют двухранговые модули RDIMM емкостью 16 Гбайт или четырехранговые модули RDIMM емкостью 32 Гбайт.
Например, двух процессорный сервер с двадцатью четырьмя разъемами памяти можно сконфигурировать следующим образом:
Если использовать четырехранговые модули LRDIMM, которые контроллер памяти воспринимает как двухранговые, то можно установить до 12 модулей по 32 Гбайта на процессор – всего 768 Гбайт памяти, работающей на более высокой частоте. Сейчас появились LRDIMM на 64 и 128 Гигабайт, это позволяет получить фантастический объем памяти на сервере — до 1,5-2Тб!
Заметим, что комбинировать LRDIMM и DIMM нельзя – система просто не запустится.
Особенности LRDIMM
Кроме увеличения емкости оперативной памяти и её быстродействия архитектура LRDIMM обладает рядом других полезных особенностей. iMB, буфер памяти LRDIMM, поддерживает средства тестирования DRAM и LRDIMM, включая прозрачный режим и MemBIST (Memory Built-In Self-Test), VREF (voltage reference) для шины данных (DQ) и команд/адресов (CA), проверку четности для команд, встроенное управление, аналогичное регистру 32882 для RDIMM, опциональный интерфейс SMBus (Serial Management Bus) для регистров конфигурации и состояния LRDIMM, а также интегрированный температурный датчик.
Прозрачный режим (Transparent Mode): используется для тестирования модуля памяти. Модуль работает просто как буфер и передает сигналы и данные на микросхемы DRAM.
MemBIST: для инициализации DRAM и тестирования компонентов память LRDIMM поддерживает функцию MemBIST (Memory Built-In-Self Test). Она служит для полного тестирования DRAM. Тестирование выполняется с рабочей частотой, используется доступ по шине команд/адресов или по SMBus.
VREF: модули LRDIMM могут использовать внешние параметры напряжения для данных (VREFDQ) и команд/адресов (VREFCA) или внутренние, из буфера памяти. Если VREF задается буфером памяти, то уровнем напряжения может управлять хост – контроллер памяти. Для этого используются регистры конфигурации буфера памяти. Программируемые уровни напряжения позволяют поставщикам модулей памяти и системных компонентов гарантировать надежность и устойчивую работу интерфейсов памяти LRDIMM.
Проверка четности: чтобы выявить на шине команд/адресов искаженные команды, для входящих команд в буфере памяти выполняется проверка четности. При ошибке генерируется сигнал ERROUT_n.
Интерфейс SMBus: буфер памяти поддерживает управление по дополнительному последовательному каналу (out-of-band serial management bus). Оно позволяет записывать и читать данные из регистров состояния.
Температурный датчик: он встроен в буфер памяти и обновляется 8 раз в секунду. Обращаться к нему можно через интерфейс SMBus. Для передачи сообщения контроллеру памяти о высокой температуре можно использовать пин EVENT_n буфера.
Как «разогнать» LRDIMM?
Небуферизированная шина данных остается слабым звеном системы памяти RDIMM. Например, четырехранговый модуль DDR3 RDIMM – это четыре электрических нагрузки на шине данных. Поэтому максимальная скорость четырехрангового DDR3 RDIMM – 1066 MT/с (млн. транзакций в сек) в конфигурации «один DIMM на канал» (один DPC) и 800 MT/с в конфигурации «два DIMM на канал» (два DPC). В LRDIMM буфер использует и шину данных, и шину команд/адресов. Это позволяет увеличить скорость передачи данных и плотность памяти.
Ниже показана диаграмма шины данных четырехрангового модуля RDIMM в конфигурации «два DIMM на канал». Она демонстрирует, что при наличии 8 электрических нагрузок на шине данных целостность сигнала в канале памяти серьезно деградирует, что ограничивает частоту. При восьми электрических нагрузках и 1333 MT/с максимальное «окно данных» (data eye) на шине сокращается до 212 пс в идеальной точке VREF и не превышает 115 мВ при максимальном напряжении. «Окно данных» – это период времени, когда контроллер может считать данные, и этот период сокращается при росте частоты, на которой работает память.
Эффект сжатия окна данных означает, что два четырехранговых модуля RDIMM в конфигурации «два DIMM на канал» для работы на скорости 1333 MT/с не подходят. Приходится выбирать компромисс между емкостью памяти и её скоростью.
ниже показана диаграмма окна данных в случае двух четырехранговых модулей LRDIMM в конфигурации «два DIMM на канал». Электрическая нагрузка 8 физических рангов DRAM заменена двумя электрическими нагрузками буфера памяти. Целостность сигнала значительно улучшилась. Хотя условия аналогичны предыдущей иллюстрации, окно данных увеличилось с 212 до 520 пс, а его максимальная высота выросла со 115 до 327 мВ.
Улучшение целостности сигнала означает, что LRDIMM может работать на скорости 1333 MT/с и выше, даже при нескольких модулях LRDIMM на канал. Не нужно будет выбирать между емкостью и пропускной способностью памяти.
Немного о ёмкости системной памяти
Одно из главных преимуществ LRDIMM – это возможность значительно увеличить емкость ОЗУ, не жертвуя скоростью работы памяти. Благодаря электрической изоляции DRAM от шины данных можно добавлять к каждому DIMM дополнительные ранги при сохранении целостности сигнала, устанавливать на каждый канал памяти дополнительные микросхемы DIMM. Распространенный вариант – LRDIMM емкостью 32 Гбайта. Это 4Rx4 модуля по 4 Гбайта, DDP (dual-die package) DRAM. Поскольку каждый LRDIMM представляет для контроллера памяти одну электрическую нагрузку, можно также установить больше DIMM на канал.
Возьмем, к примеру, двухпроцессорный сервер с тремя разъемами памяти DIMM на канал, четырьмя каналами на ЦП. С помощью LRDIMM емкость ОЗУ у него можно увеличить по сравнению с RDIMM в два-три раза. Ниже приведены максимальные емкости RDIMM и LRDIMM для различных скоростей и напряжений.
Например, для памяти 1,5В DDR3 при скорости 800 MT/с у системы с полным комплектом RDIMM емкость ОЗУ при использовании 16GB 2Rx4 RDIMM на канал может достигать 384 Гбайт. Применение модулей LRDIMM позволяет удвоить эту емкость – до 768 Гбайт. Ограничения системной платы (обычно это 8 рангов DRAM на канал) преодолевается умножением рангов LRDIMM. В данном случае получается 12 физических рангов на канал.
При скорости 1066 или 1333 MT/с ограничения целостности сигнала не позволяют использовать в конфигурации с RDIMM более трех DIMM на канал. Для памяти 1,5В DDR3 с быстродействием 1066 или 1333 MT/с максимальная емкость ОЗУ с RDIMM будет 256 Гбайт. У LRDIMM нет таких ограничений, и можно установить три DIMM на канал при 1066 MT/с (или 1333 MT/с). При этом общая емкость ОЗУ составит 768 Гбайта, то есть втрое больше. Для памяти 1,35В DDR3L со скоростью 1333 MT/с преимущество LRDIMM еще значительнее.
А что с энергопотреблением LRDIMM?
Модули памяти LRDIMM не только позволяют увеличить емкость оперативной памяти севера, но и сделать это с минимальными потерями энергоэффективности. Хотя буфер памяти в LRDIMM в конфигурации «один DIMM на канал» потребляет больше, чем RDIMM в той же конфигурации, в конфигурациях высокой плотности – 2 и 3 DIMM на канал – разница нивелируется.
Ниже показано нормализованное энергопотребление на RDIMM или LRDIMM в конфигурациях с одним и с двумя DIMM на канал при различном быстродействии памяти. Поскольку фактическая потребляемая мощность зависит от плотности и используемой технологии DRAM, относительная мощность показана для модулей LRDIMM и RDIMM одного поколения DRAM. Это модули 4Rx4 емкостью 32 Гбайта. Мощность модуля RDIMM при 800 MT/с принята за единицу. Для измерения использовались стандартные тесты с 50% операция записи и 50% операций чтения.
При 800 MT/с в конфигурации «один DIMM на канал» LRDIMM потребляет на 17% больше электроэнергии, чем RDIMM, но в конфигурации «два DIMM на канал» разница составляет всего 3%. При 1066 MT/с это 15%, но в конфигурации «два DIMM на канал» разница также невелика. При 1333 MT/с потребление мощности на LRDIMM в конфигурации «два DIMM на канал» на 28% меньше, чем в конфигурации «один DIMM на канал».
Ниже представлены аналогичные результаты для 100% чтения. Так как LRDIMM используется в основном в системах с высокой плотностью памяти, больший интерес представляет потребление на LRDIMM в конфигурации «два DIMM на канал». Потерь по энергоэффективности в этом случае практически нет.
Большая часть платформ Intel E5 может поддерживать два модуля LRDIMM на канал при частоте 1333 МГц и напряжении 1,5В и три модуля LRDIMM на канал при 1066 МГц, что позволяет использовать конфигурации с двенадцатью модулями LRDIMM на процессор; при использовании четырехранговых модулей RDIMM задействуются только 8 разъемов на процессор и максимальная скорость составляет 800 МГц.
Нужны ли модули LRDIMM?
Как узнать, нужно ли вообще использовать модули LRDIMM? Определите скорость передачи данных памяти для вашего сервера (см. документы вендора, касающиеся производительности). Если вам необходимо более 8 x 32 Гбайта на процессор, то нужны модули LRDIMM, в противном случае достаточно будет четырехранговых модулей RDIMM емкостью 32 Гбайта с частотой 800 МГц. Если необходимы частоты 1066 МГц или 1333 МГц, следует использовать только модули LRDIMM.
Ниже показаны ограничения по рангам и максимальным частотам функционирования памяти на примере двухпроцессорных материнских плат Supermicro X9 (LGA2011) и X10 (LGA2011-3) серий при установке процессоров Intel Xeon E5 2600 серии разных поколений.
Supermicro X10 Series + E5-2600 v3 (Haswell)
Двухпроцессорные платы Supermicro X10 Series не поддерживают небуферизированные модули памяти (UDIMM). Очевидно, что для достижения максимальной емкости оперативной памяти и максимальной скорости ее функционирования необходимы модули типа LRDIMM DDR4.
Hynix HMTA8GL7AHR4C-PBM2: Оперативная память для сервера, емкость памяти: 64 Гбайта, пропускная способность: PC12800, тип: DDR3 LRDIMM.
Kingston KVR16LL114/32 – модуль памяти DDR3L, емкость 32 Гбайта, форм-фактор LRDIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11. Средняя цена такого модуля – 28 тыс. руб.
Модуль памяти Samsung DDR4 2133 Registered ECC LRDIMM 32Gb. Средняя цена – около 22 тыс. руб. Это 288-контактный модуль LRDIMM с частотой 2133 МГц. Есть поддержка ECC, CAS Latency (CL): 15.
Модуль памяти Samsung 32GB 288-Pin DDR4 SDRAM DDR4 2133 (PC4 17000) Server Memory Model M386A4G40DM0-CPB, Cas Latency 15.
В целом модули LRDIMM позволяют до 35% повысить пропускную способность оперативной памяти по сравнению со стандартными модулями RDIMM.
Наибольший эффект применение LRDIMM даст для приложений, интенсивно использующих оперативную память, облачных вычислений и задач HPC (high-performance computing), когда надо загружать в ОЗУ и обрабатывать большие объемы данных. В виртуальной среде это дает возможность увеличить «плотность» виртуальных машин. В дата-центрах – повысить энергоэффективность и уменьшить TCO (Total Cost of Ownership).
Альтернатива? LRDIMM на 128Гб!
Технология не стоит на месте и Samsung представила новые модули памяти LRDIMM емкостью 128 Гбайт. В них применяется технология упаковки микросхем под названием TSV (Through Silicon Via) – чипы DRAM соединяются вертикально с помощью электродов, проходящих через микроскопические отверстия, как они сделали на 3D VNAND.
Память TSV DDR4 DRAM в модулях 128GB RDIMM считается настоящим технологическим прорывом. Ее преимущества – удвоенная по сравнению с прежними стандартными модулями емкость, высокая скорость и эффективность. Благодаря 20-нм техпроцессу у памяти 128GB TSV DDR4 на 50% снижено энергопотребление по сравнения с модулями 64GB LRDIMM. Остается прояснить цену вопроса.
Практическая польза
128Гб в сервер с 8 местами под память можно собрать на DDR3 RDIMM по 16Гбх8, то есть 9000 рублей * 8 = 72000 рублей. На LRDIMM – это две планки на 64Гб по 30500р каждая, то есть затраты составят 61000 рублей, что дешевле традиционного решения. Более того, теперь нет особого смысла переплачивать за материнские платы с 16 слотами памяти – 99% серверов можно собрать на 8-слотовых платах. Это выходит 512Гб памяти на стандартную X9DRL.
Пока крупные DDR4 LRDIMM на 64Гб стоят по 75000р за штуку (модуль памяти 64GB PC17000 LR M386A8K40BM1-CPB0Q SAMSUNG в ЭЛКО). Если ставить по 32Гб, то цена LRDIMM DDR4 в 21000р за штуку – это 84000р за 128Гб, что немногим дороже обычной регистровой памяти.
Всё это позволяет нам в HOSTKEY сдавать крупные выделенные сервера ещё дешевле, снижать цену на виртуальные машины и делать частные кластеры ещё надёжнее и за меньшие деньги.
Немного о HOSTKEY
С 2008 года мы сдаём выделенные и виртуальные сервера в аренду, предоставляем услуги размещения серверов в 4 датацентрах Москвы, включая два Тиер-III сертифицированных ЦОД. Мы специализируемся на крупных выделенных серверах и создании частных облаков и кластеров для наших клиентов на их основе.
Для наших читателей у нас есть горячее предложение: Сервера в наличии на базе суперкомпьютеров Т-Платформы и процессоров Intel Xeon E5-2630v2 со скидкой 15% до конца декабря (или пока они не закончатся) при использовании промокода TMW5U0S8SE
Например, для сравнения:
– 2xE5-2630v2 (12×2,6 GHz)/64Gb RAM/1x1Tb SSD+1x1Tb 7,2K HDD = 17000р в месяц, со скидкой 14450.
– 2xE5-2630v2 (12×2,6 GHz)/128Gb RAM/1x2Tb SSD+1x2Tb 7,2K HDD = 25700р в месяц, со скидкой 21800
– 2xE5-2630v2 (12×2,6 GHz)/256Gb RAM/2х2Tb Samsung SSD = 36500р в месяц, со скидкой 31000
– 2xE5-2630v2 (12×2,6 GHz)/32Gb RAM/2х600Gb SAS 10K = 13650р в месяц, со скидкой 11600р
Все цены с НДС, конфигурация возможна практически любая.
Все сервера подключены на гигабитном канале, лимит трафика 10Тб без ограничений. К каждому выделенному серверу предоставляется удаленный доступ через IPMI, возможна организация VLAN на скорости до 10Gbps.